元陆鸿远MA系列多层芯片瓷介电容器：开启高温高压应用新时代

随着射频&微波通信技术、光通信技术、测量仪器、自动驾驶等高端领域的蓬勃发展，为了实现更高速率、更广覆盖和更低延迟的通信，射频器件的功率密度、工作频率等指标不断提升。尤其是在一些大功率场景，射频器件有着向更高工作电压、更高工作温度迭代的趋势，这对射频电路中使用的各类电子元器件，特别是电容器，带来了新的挑战。

电容器作为电子设备中的关键元器件，广泛用于滤波、隔直、旁路等电路应用。针对以上应用场景的迭代需求，元陆鸿远创新推出了MA系列X8特性（-55℃~+150℃）多层芯片瓷介电容器，该系列产品在工作温度和工作电压等关键性能指标上实现了突破，旨在为新一代通信设备、汽车电子等领域提供更可靠、更优异的芯片电容解决方案。

关于元陆鸿远MA系列多层芯片瓷介电容器

➤系列简介

元陆鸿远MA系列多层芯片瓷介电容器是一种基于瓷介电容制造工艺，专为引线键合安装而设计的微型电容器，实现电容器在芯片等封装中的安装，帮助芯片实现小型化和更高效率。

多层芯片瓷介电容器采用上下电极结构，相比通用SMT电容，其电流路径更短，从而降低了ESL，在高频下的阻抗更低；芯片电容体积小、容量密度高，非常适合旁路应用，它能有效滤除低频信号和包络信号，提升芯片的性能；另外，多层芯片瓷介电容器还具有高可靠性、低ESR等优势，被广泛应用于芯片微组装、微波集成电路等应用中。

➤核心参数

➤行业应用

1.汽车电子

●符合AEC-Q200标准

●车载激光雷达

2.通信设备

●射频模块

●光通信收发模组

●微波毫米波电路

3.工业设备

●测量设备等

元陆鸿远MA系列X8特性多层芯片瓷介电容器介绍

元陆鸿远MA系列多层芯片瓷介电容器自推出以来得到了广大客户的认可和一致好评，为了应对更高温度和更高电压的需求，我司在原有X7特性（-55℃~+125℃）多层芯片瓷介电容器的基础上推出了MA系列X8特性（-55℃~+150℃）多层芯片瓷介电容器，重点提升了高温和高压性能。

     可靠性考核方面，元陆鸿远X8特性多层芯片瓷介电容器满足GJB548B-2005键合和抗剪强度测试方法，并且通过了150˚C-1.5UR-1000h高温寿命考核、2.5UR介质耐压测试等严苛测试，充分验证了其在高温、高压环境下的长期可靠性，能够更好适用高温高压工作环境。MA系列X8特性多层芯片瓷介电容器提供多种尺寸规格，并可根据客户的特殊需求提供定制化产品。

     元陆鸿远MA系列X8特性多层芯片瓷介电容器相较于原有X7特性的多层芯片瓷介电容器在工作温度和工作电压上均实现了提升，以10nF规格为例，具体参数对比如下：

元陆鸿远下一代产品开发计划

     面向未来，元陆鸿远将继续优化MA系列多层芯片瓷介电容器，进一步提升其性能和可靠性，包括更高的工作电压、更大的容量和更小的尺寸以满足市场的需求。

     针对微组装应用场景，除了MA系列多层芯片瓷介电容器外，元陆鸿远还可以提供单层芯片瓷介电容器、MD金端多层瓷介电容器、硅基芯片电容器、薄膜芯片电阻器、阻容网络、薄膜电路、DPC陶瓷基板、热沉等系列化产品，满足客户多种场景需求。

     在产品定位上，元陆鸿远持续围绕高频、高压、高可靠、微组装的方向发展，致力于成为优秀的射频、微波陶瓷元器件解决方案提供商。