单层芯片瓷介电容器
特点：
1、单层芯片瓷介电容器体积小、精度高、结构坚固、性能稳定；
2、表面采用金电极，适合金丝、金带等微组装工艺；
3、在相同面积时能提供更大电容量；
4、垂直侧面设计便于用户匹配电容宽度与线路板导体线宽；
5、可提供低成本方案，正面为Au，背面为Pt, 适用于导电胶粘接工艺。
特点：
1、单层芯片瓷介电容器体积小、精度高、结构坚固、性能稳定；
2、表面采用金电极，适合金丝、金带等微组装工艺；
3、在相同面积时能提供更大电容量；
4、垂直侧面设计便于用户匹配电容宽度与线路板导体线宽；
5、可提供低成本方案，正面为Au，背面为Pt, 适用于导电胶粘接工艺。
SD垂直侧面单层芯片瓷介电容器.pdf
京公网安备11011502038316号