多层芯片瓷介电容器
特点：
1、适应键合的组装方式，与半导体芯片相同的装配工艺；
2、利用多层结构实现更高容值，相比于单层陶瓷电容器体积更小，
可提供良好的温度稳定性；
3、多层芯片瓷介电容器具有更好的频率特性，
更低的ESL和更高的自谐振频率
特点：
1、适应键合的组装方式，与半导体芯片相同的装配工艺；
2、利用多层结构实现更高容值，相比于单层陶瓷电容器体积更小，
可提供良好的温度稳定性；
3、多层芯片瓷介电容器具有更好的频率特性，
更低的ESL和更高的自谐振频率
京公网安备11011502038316号