宽带多层瓷介电容器
特点：
1、超低插损、超带宽特性。
2、工作带宽高达67GHz。
3、提供镀锡/锡金端头，满足表贴以及微组装工艺要求。
4、适用于微波毫米波电路、高速数字电路、高速光模块等电路应用。
特点：
1、超低插损、超带宽特性。
2、工作带宽高达67GHz。
3、提供镀锡/锡金端头，满足表贴以及微组装工艺要求。
4、适用于微波毫米波电路、高速数字电路、高速光模块等电路应用。
MW宽带多层瓷介电容器.pdf
京公网安备11011502038316号