单层芯片瓷介电容器
特点:
1、单层芯片瓷介电容器体积小、精度高、结构坚固、性能稳定;
2、表面采用金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;
3、两只电容串联成一只产品,插入损耗低而自谐振频率极高。
特点:
1、单层芯片瓷介电容器体积小、精度高、结构坚固、性能稳定;
2、表面采用金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;
3、两只电容串联成一只产品,插入损耗低而自谐振频率极高。