单层芯片瓷介电容器

   特点:

      1、单层芯片瓷介电容器体积小、精度高、结构坚固、性能稳定;

      2、表面采用金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;

      3、两只电容串联成一只产品,插入损耗低而自谐振频率极高。



        SG双片串联单层芯片瓷介电容器.pdf



特点:

1、单层芯片瓷介电容器体积小、精度高、结构坚固、性能稳定;

2、表面采用金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;

3、两只电容串联成一只产品,插入损耗低而自谐振频率极高。

  SG双片串联单层芯片瓷介电容器.pdf