单层芯片瓷介电容器
特点：
1、单层芯片瓷介电容器体积小、精度高、结构坚固、性能稳定；
2、表面采用金电极，适合金丝、金带等微组装工艺；
3、电极留边设计可减少贴装时由于焊料溢出而造成上下电极短路的可能性。
SD电极留边单层芯片瓷介电容器.pdf
特点：
1、单层芯片瓷介电容器体积小、精度高、结构坚固、性能稳定；
2、表面采用金电极，适合金丝、金带等微组装工艺；
3、电极留边设计可减少贴装时由于焊料溢出而造成上下电极短路的可能性。
SD电极留边单层芯片瓷介电容器.pdf
京公网安备11011502038316号