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高Q多层瓷介电容器
金端多层瓷介电容器
多层芯片瓷介电容器
单层芯片瓷介电容器: SD垂直侧面单层芯片瓷介电容器; SD电极留边单层芯片瓷介电容器; SE多片阵列单层芯片瓷介电容器; SF二进制可调容值单层芯片瓷介电容器; SG双片串联单层芯片瓷介电容器
宽带多层瓷介电容器
其他产品

单层芯片瓷介电容器

特点：

1、单层芯片瓷介电容器体积小、精度高、结构坚固、性能稳定；

2、表面采用金电极，适合金丝、金带等微组装工艺；

3、节约空间、提高安装效率。

SE多片阵列单层芯片瓷介电容器.pdf

特点：

1、单层芯片瓷介电容器体积小、精度高、结构坚固、性能稳定；

2、表面采用金电极，适合金丝、金带等微组装工艺；

3、节约空间、提高安装效率。

SE多片阵列单层芯片瓷介电容器.pdf

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